Наукова конференція Інституту ядерних досліджень НАНУ
8-12 квітня 2019 р.
Тези доповідей
Секція: Експериментальна ядерна фізика
9 квітня 2019 р.,, С7
Регламент: стендова доповідь
РАДІАЦІЙНА СТІЙКОСТЬ ДВОСТОРОННІХ МІКРОСТРІПОВИХ СЕНСОРІВ ДЛЯ КРЕМНІЄВОЇ ТРЕКОВОЇ СИСТЕМИ ЕКСПЕРИМЕНТУ СВМ
Є. Л. Момот1,2, В. М. Пугач,3, В. О. Кива1 , Й. М. Хойзер3
1 Інститут ядерних досліджень НАН України, Київ
2Goethe University, Frankfurt
3GSI, Darmstadt
Основним трековим детектором експерименту CBM (Compressed Baryonic Matter) є Кремнієва Трекова Система STS (Silicon Tracking Station), яка має слугувати для реконструкції треків і визначення імпульсу заряджених частинок, що виникають при взаємодії пучка з мішенню. Завданням STS є вимірювання траєкторій до 800 заряджених частинок за одне зіткнення з ефективністюпо реконструкції треків більше 95% та роздільною здатністю по імпульсу 1- 2%.
Щоб гарантувати необхідну продуктивність протягом усього терміну експлуатації експерименту CBM, система повинна мати малу кількість матерілу (біля 1.5% радіаційних втрат на станцію) на шляху проходження заряджених частинок, високу гранулярність, високий коефіцієнт сигнал до шуму (SNR) та радіаційну толерантність. В результаті оптимізаційних досліджень STS складається з двосторонніх кремнієвих мікростріпових сенсорів близько 300 мкм, які повинні забезпечувати відношення SNR більше 10, навіть після випромінювання з очікуваним еквівалентом життєвого флюенсу 1014 1 MeV neq cm−2 [1].
Щоб дослідити радіаційну стійкість, кремнієві сенсори різних форм-факторів від різних виробників були опромінені 23 МеВ протонами. Властивості сенсорів були охарактеризовані до і після опромінення. Відгук датчика на мінімум іонізаційні частинки від 90Sr до опромінювання розцінювався як 100% збір заряду. Основними наслідками після опромінення є: збільшення струму витоку, зменшення ефкетивності збору заряду, збільшення шуму та як наслідок деградація сигналу над шумом [2].
Детальні результати вимірів по ефективності збору заряду та симуляція реконструкції треків і роздільної здатності по імпульсу в опромінених сенсорах будуть представлені на стендовій доповіді.
[1] J. Heuser, et al., GSI Report 2013-4.
[2] I. Momot, M. Teklishyn, A. Lymanets, O. Bertini, and J. Heuser, “Investigation into the charge collection efficiency of prototype microstrip sensors for the CBM Silicon Tracking System,” Journal of Physics: Conference Series, vol. 1024, no. 1, p. 012004, 2018.